SIRA80DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIRA80DP-T1-RE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIRA80DP-T1-RE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 202492 pcs
Precio de referencia: USD 0.81311/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIRA80DP-T1-RE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	188nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9530pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIRA80DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8	Detalles
SIRA84DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 60A SO-8	Detalles
SIRA88DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 45.5A SO8	Detalles