SIR770DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIR770DP-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.5236/pcs
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Número de pieza	SIR770DP-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 15V
Potencia - Max	17.8W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIR770DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8	Detalles
	SIR774DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V	Detalles