SIR482DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIR482DP-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SIR482DP-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1575pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	5W (Ta), 27.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIR482DP	VIS	SIR482DP VIS VFDFPN.. New Original Stocks	Detalles
SIR482DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8	Detalles
SIR484DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8	Detalles