SIHU6N65E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHU6N65E-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 7500 pcs
Precio de referencia: USD 1.78/pcs
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Número de pieza	SIHU6N65E-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	IPAK (TO-251)
Paquete / caja	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIHU6N62E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 620V 6A TO-251	Detalles
SIHU6N65E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 650V 6A IPAK	Detalles
SIHU6N80E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-251	Detalles