SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SIHP6N65E-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SIHP6N65E-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
138767 pcs
Precio de referencia
USD 1.1865/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SIHP6N65E-GE3

SIHP6N65E-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SIHP6N65E-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SIHP6N65E-GE3