SIHG22N65E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHG22N65E-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 125 pcs
Precio de referencia: USD 5.51/pcs
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Número de pieza	SIHG22N65E-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2415pF @ 100V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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