SIHB065N60E-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIHB065N60E-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 21107 pcs
Precio de referencia: USD 7.8/pcs
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Número de pieza	SIHB065N60E-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIHB065N60E-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET E SERIES 600V D2PAK TO-2	Detalles