SIE854DF-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIE854DF-T1-E3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SIE854DF-T1-E3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	60A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	5.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.2 mOhm @ 13.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	10-PolarPAK® (L)
Paquete / caja	10-PolarPAK® (L)
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIE854DF-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK	Detalles
	SIE854DF-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK	Detalles