SIB455EDK-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIB455EDK-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: SIB455EDK-T1-GE3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4209 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	SIB455EDK-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-75-6L Single
Paquete / caja	PowerPAK® SC-75-6L
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIB455EDK-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6	Detalles