SIA950DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	SIA950DJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	190V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 100V
Potencia - Max	7W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIA950DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6	Detalles