SIA920DJ-T1-GE3

SIA920DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SIA920DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
102016 pcs
Precio de referencia
USD 0.2541/pcs
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SIA920DJ-T1-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SIA920DJ-T1-GE3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 4V
Potencia - Max 7.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso -
País de origen -

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