SIA533EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 0.2302/pcs
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Número de pieza	SIA533EDJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 6V
Potencia - Max	7.8W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIA533EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6	Detalles