SIA408DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA408DJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.4004/pcs
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Número de pieza	SIA408DJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	830pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 5.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SIA400EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 12A SC-70	Detalles
SIA406DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6	Detalles
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