SIA110DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SIA110DJ-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 381302 pcs
Precio de referencia: USD 0.43181/pcs
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Número de pieza	SIA110DJ-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.4A (Ta), 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / caja	PowerPAK® SC-70-6
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SIA110DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7	Detalles