| Número de pieza | SI8824EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 4-Microfoot |
| Paquete / caja | 4-XFBGA |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SI8821EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT | Detalles |
 |
SI88220BC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220BC-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
 |
SI88220BD-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220BD-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220EC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220EC-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220ED-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88220ED-ISR | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
|
SI88221BC-IS | Silicon Labs | DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC | Detalles |
