SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI8802DB-T2-E1
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
82500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1597/pcs
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SI8802DB-T2-E1 Descripción detallada

Número de pieza SI8802DB-T2-E1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C -
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±5V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / caja 4-XFBGA
Peso -
País de origen -

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