SI8802DB-T2-E1 Descripción detallada
Número de pieza |
SI8802DB-T2-E1 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
- |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
700mV @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
6.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
±5V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
54 mOhm @ 1A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
4-Microfoot |
Paquete / caja |
4-XFBGA |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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