SI8497DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI8497DB-T2-E1
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.2182/pcs
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Número de pieza	SI8497DB-T2-E1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	13A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 15V
Vgs (Max)	±12V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-microfoot
Paquete / caja	6-UFBGA
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	SI8497DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT	Detalles
	SI8499DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT	Detalles