SI7872DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI7872DP-T1-E3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Precio de referencia: USD 1.0247/pcs
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Número de pieza	SI7872DP-T1-E3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potencia - Max	1.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8 Dual
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI7872DP	VISHAY	Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode	Detalles
SI7872DP-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8	Detalles
SI7872DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8	Detalles