| Número de pieza | SI7850DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 10.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7850ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8 | Detalles |
 |
SI7850DP | VISHAY | SI7850DP VISHAY QFN8 New Original Stocks | Detalles |
|
SI7850DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7850DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7852ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7852ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7852DP | VISHAY | N-Channel 80-V (D-S) MOSFET | Detalles |
|
SI7852DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7852DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8 | Detalles |
|
SI7856ADP | VIS | SI7856ADP VIS QFN8 New Original Stocks | Detalles |
