SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI7682DP-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4110 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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SI7682DP-T1-E3 Descripción detallada

Número de pieza SI7682DP-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1595pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 5W (Ta), 27.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / caja PowerPAK® SO-8
Peso -
País de origen -

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