| Número de pieza | SI5915BDC-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 4V |
| Potencia - Max | 3.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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