| Número de pieza | SI5504DC-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A, 2.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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SI5504BDC | VISHAY | N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | Detalles |
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SI5504BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Detalles |
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SI5504BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Detalles |
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Si5504DC | VISHAY | Complementary 30-V (D-S) MOSFET | Detalles |
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SI5504DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Detalles |
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SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | Detalles |
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SI5509DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Detalles |
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SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Detalles |
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SI5509DC_08 | VISHAY | N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET | Detalles |
