SI5499DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI5499DC-T1-E3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	SI5499DC-T1-E3
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	6A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 4V
Vgs (Max)	±5V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	1206-8 ChipFET™
Paquete / caja	8-SMD, Flat Lead
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
SI5499DC	VISHAY	P-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET	Detalles
SI5499DC-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8	Detalles
SI5499DC-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8	Detalles