SI4453DY-T1-E3

SI4453DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI4453DY-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4364 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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SI4453DY-T1-E3 Descripción detallada

Número de pieza SI4453DY-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 600µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 165nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso -
País de origen -

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