SI4435FDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI4435FDY-T1-GE3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1074740 pcs
Precio de referencia: USD 0.1532/pcs
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Número de pieza	SI4435FDY-T1-GE3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	4.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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