SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI2307CDS-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
SI2307CDS-T1-E3 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
22500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1507/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3 Descripción detallada

Número de pieza SI2307CDS-T1-E3
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA SI2307CDS-T1-E3