SI2306BDS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza: SI2306BDS-T1-E3
Fabricante: Vishay Siliconix
Breve descripción: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 15000 pcs
Precio de referencia: USD 0.2302/pcs
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Número de pieza	SI2306BDS-T1-E3
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3.16A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	305pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	47 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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