SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI2305ADS-T1-E3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4128 pcs
Precio de referencia
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SI2305ADS-T1-E3 Descripción detallada

Número de pieza SI2305ADS-T1-E3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 4V
Vgs (Max) ±8V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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