| Número de pieza | SI2304DDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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