SI1303DL-T1-GE3

SI1303DL-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Número de pieza
SI1303DL-T1-GE3
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
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3557 pcs
Precio de referencia
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SI1303DL-T1-GE3 Descripción detallada

Número de pieza SI1303DL-T1-GE3
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 670mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 290mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 1A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SC-70-3
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Peso -
País de origen -

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