S8CKHM3/I - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	S8CKHM3/I
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Corriente - promedio rectificado (Io)	8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	985mV @ 8A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	4µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 800V
Capacitancia @ Vr, F	79pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S8CG-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Detalles
S8CGHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB	Detalles
S8CJ-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Detalles
S8CJHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB	Detalles
S8CK-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB	Detalles
S8CKHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB	Detalles
S8CM-M3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB	Detalles
S8CMHM3/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB	Detalles