IRFP22N60K - Vishay Siliconix

Número de pieza	IRFP22N60K
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	22A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3570pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / caja	TO-247-3
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IRFP044	IR	IRFP044 IR TO-247 New Original Stocks	Detalles
IRFP044N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Detalles
IRFP044NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC	Detalles
IRFP044PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 57A TO-247AC	Detalles
IRFP048	IR	IRFP048 IR TO-247 New Original Stocks	Detalles
IRFP048N	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Detalles
IRFP048NPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 64A TO-247AC	Detalles
IRFP048PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Detalles
IRFP048R	VISHAY	Power MOSFET	Detalles
IRFP048RPBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC	Detalles