IRFIBE30G

IRFIBE30G - Vishay Siliconix

Número de pieza
IRFIBE30G
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3940 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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IRFIBE30G Descripción detallada

Número de pieza IRFIBE30G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.1A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1.3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Peso -
País de origen -

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