IRC540PBF - Vishay Siliconix

Número de pieza	IRC540PBF
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	28A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	Current Sensing
Disipación de potencia (Máx)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77 mOhm @ 17A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220-5
Paquete / caja	TO-220-5
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
IRC4BC30U	IR	IRC4BC30U IR TO New Original Stocks	Detalles
IRC530PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5	Detalles
IRC540PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 28A TO-220-5	Detalles
IRC630	IR	IRC630 IR TO-220.. New Original Stocks	Detalles
IRC630PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5	Detalles
IRC634PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5	Detalles
IRC640	IR	IRC640 IR TO-220.. New Original Stocks	Detalles
IRC640PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 18A TO-220-5	Detalles
IRC644PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5	Detalles
IRC7139	IR	IRC7139 IR QFN New Original Stocks	Detalles