BYV12-TR - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza	BYV12-TR
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Avalanche
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1.5A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.5V @ 1A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	300ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	-
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	SOD-57, Axial
Paquete de dispositivo del proveedor	SOD-57
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 175°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
BYV10-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC	Detalles
BYV10ED-600PJ	WeEn Semiconductors	BYV10ED-600P/DPAK/REEL 13" Q1/	Detalles
BYV10EX-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F	Detalles
BYV10X-600PQ	WeEn Semiconductors	DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2	Detalles
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BYV118-40	PHI	BYV118-40 PHI TO-220 New Original Stocks	Detalles
BYV12	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Detalles
BYV12-TAP	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57	Detalles
BYV12-TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57	Detalles
BYV13	VISHAY	Fast Silicon Mesa Rectifiers	Detalles