| Número de pieza | BYV12-TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Avalanche |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1.5A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.5V @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 300ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | SOD-57, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOD-57 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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BYV10X-600PQ | WeEn Semiconductors | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 | Detalles |
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BYV12-TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 100V 1.5A SOD57 | Detalles |
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BYV13 | VISHAY | Fast Silicon Mesa Rectifiers | Detalles |
