| Número de pieza | 4GBL01 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Three Phase |
| Tecnología | Standard |
| Voltaje - Pico Inverso (Máx) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 4A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | 4-SIP, GBL |
| Paquete de dispositivo del proveedor | GBL |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
4G15EA51K00117 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRS PU V0 REC | Detalles |
|
4G20EA51H00425 | Laird Technologies EMI | IO NICU PTAFG PU V0 REC | Detalles |
|
4G34AC51K00209 | Laird Technologies EMI | GK NICU NRS PU V0 DSH | Detalles |
|
4G55AB51G00199 | Laird Technologies EMI | GK NICU NRSG PU V0 DSH | Detalles |
|
4G55AC51H01225 | Laird Technologies EMI | GK NICU PTAFG PU V0 DSH | Detalles |
|
4G55AC51H01413 | Laird Technologies EMI | GK NICU PTAFG PU V0 DSH | Detalles |
|
4G76EA51G01232 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC | Detalles |
|
4G76EB51G01447 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC | Detalles |
|
4G98EB51G00138 | Laird Technologies EMI | IO NICU NRSG PU V0 REC | Detalles |
|
4GBL01 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBL | Detalles |
