3N163 Descripción detallada
Número de pieza |
3N163 |
Estado de la pieza |
Obsolete |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
50mA (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 10µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3.5pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±30V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
375mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
250 Ohm @ 100µA, 20V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-72 |
Paquete / caja |
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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