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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › TPH3206LD
TPH3206LD

TPH3206LD - Transphorm

Número de pieza
TPH3206LD
Fabricante
Transphorm
Breve descripción
GAN FET 600V 17A PQFN88
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TPH3206LD Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1267 pcs
Precio de referencia
USD 12.16/pcs
Nuestro precio
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TPH3206LD Descripción detallada

Número de pieza TPH3206LD
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 17A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (Max) ±18V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PQFN (8x8)
Paquete / caja 4-PowerDFN
Peso -
País de origen -

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