TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TPH1R403NL,L1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TPH1R403NL,L1Q Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
43626 pcs
Precio de referencia
USD 0.5954/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q Descripción detallada

Número de pieza TPH1R403NL,L1Q
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP Advance (5x5)
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA TPH1R403NL,L1Q