TPCC8003-H(TE12LQM

TPCC8003-H(TE12LQM - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TPCC8003-H(TE12LQM
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TPCC8003-H(TE12LQM Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
TPCC8003-H(TE12LQM.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3814 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para TPCC8003-H(TE12LQM

TPCC8003-H(TE12LQM Descripción detallada

Número de pieza TPCC8003-H(TE12LQM
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 13A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.9 mOhm @ 6.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-TSON
Paquete / caja 8-VDFN Exposed Pad
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA TPCC8003-H(TE12LQM