TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3678 pcs
Precio de referencia
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TPC8211(TE12L,Q,M) Descripción detallada

Número de pieza TPC8211(TE12L,Q,M)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 10V
Potencia - Max 450mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP (5.5x6.0)
Peso -
País de origen -

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