TPC8211(TE12L,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TPC8211(TE12L,Q,M)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
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Número de pieza	TPC8211(TE12L,Q,M)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1250pF @ 10V
Potencia - Max	450mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP (5.5x6.0)
Peso	-
País de origen	-

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