TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TPC8021-H(TE12LQ,M
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4108 pcs
Precio de referencia
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TPC8021-H(TE12LQ,M Descripción detallada

Número de pieza TPC8021-H(TE12LQ,M
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP (5.5x6.0)
Paquete / caja 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso -
País de origen -

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