| Número de pieza | TPC8018-H(TE12LQM) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2265pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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