TPC6111(TE85L,F,M) Descripción detallada
Número de pieza |
TPC6111(TE85L,F,M) |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
5.5A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
10nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
700pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±8V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
700mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
40 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
VS-6 (2.9x2.8) |
Paquete / caja |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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