TK7P60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	TK7P60W,RVQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 350µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	490pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TK7P50D(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3	Detalles
TK7P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 7A DPAK	Detalles
TK7P60W5,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 7A DPAK	Detalles
TK7P65W,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK	Detalles