TK650A60F,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK650A60F,S4X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 121065 pcs
Precio de referencia: USD 1.36/pcs
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Número de pieza	TK650A60F,S4X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.16mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1320pF @ 300V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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