TK650A60F,S4X

TK650A60F,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
TK650A60F,S4X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
121065 pcs
Precio de referencia
USD 1.36/pcs
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TK650A60F,S4X Descripción detallada

Número de pieza TK650A60F,S4X
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.16mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 300V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220SIS
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack
Peso -
País de origen -

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