TK650A60F,S4X Descripción detallada
Número de pieza |
TK650A60F,S4X |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
11A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
650 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 1.16mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
34nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1320pF @ 300V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
45W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
150°C |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-220SIS |
Paquete / caja |
TO-220-3 Full Pack |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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