TK42E12N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK42E12N1,S1X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N CH 120V 88A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	TK42E12N1,S1X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	120V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	88A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 60V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.4 mOhm @ 21A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK42E12N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 120V 88A TO-220	Detalles