TK39J60W,S1VQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK39J60W,S1VQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 85 pcs
Precio de referencia: USD 10.73/pcs
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Número de pieza	TK39J60W,S1VQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	38.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.9mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4100pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 19.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-3P(N)
Paquete / caja	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK39J60W,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P	Detalles
	TK39J60W5,S1VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)	Detalles