TK31E60W,S1VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK31E60W,S1VX
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Cantidad de stock: 3998 pcs
Precio de referencia: USD 6.7424/pcs
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Número de pieza	TK31E60W,S1VX
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	86nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 15.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK31E60W,S1VX	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220	Detalles
	TK31E60X,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220	Detalles