TK30E06N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK30E06N1,S1X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
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Precio de referencia: USD 1.09/pcs
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Número de pieza	TK30E06N1,S1X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	43A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	TK30E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 43A TO-220	Detalles